场效应MOS管STW14NM50的参数如下:
最大耗散功率(PD): 175W
最大漏源电流(ID): 14A
漏源击穿电压(V(BR)DSS): 500V
RDS(ON)内阻: 0.35Ω
VRDS(ON)ld通态电流: 6A
VRDS(ON)栅极电压: 10V
VGS(th)V开启电压: 3~5V
VGS(th)ld(μA)开启电流: 250μA
建议在实际应用中根据具体需求选择合适的参数,以确保电路的稳定性和可靠性。
场效应MOS管STW14NM50的参数如下:
最大耗散功率(PD): 175W
最大漏源电流(ID): 14A
漏源击穿电压(V(BR)DSS): 500V
RDS(ON)内阻: 0.35Ω
VRDS(ON)ld通态电流: 6A
VRDS(ON)栅极电压: 10V
VGS(th)V开启电压: 3~5V
VGS(th)ld(μA)开启电流: 250μA
建议在实际应用中根据具体需求选择合适的参数,以确保电路的稳定性和可靠性。
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